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一、定義:
化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition)是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面,進而制得固體材料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過程。 簡單地說,CVD是讓某種需要的材料的氣體在高溫下面分解,然后讓生成的顆粒均勻的落在我們用來改造的東西上(基底),并且可以按需要長成固定的形狀大?。ū热绻軤?,片狀,等等)
二、發(fā)展歷史:
CVD最早可以追溯到原始年代。古代人在洞穴中焚燒木材,會在洞穴的墻壁上面留下一層黑色的碳灰,這也可以認為是一種沉積過程?,F(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)需要使用大量功能各異的無機新材料,這些功能材料必須是高純的,或者是在高純材料中有意地摻人某種雜質(zhì)形成的摻雜材料。但是,我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿足這些要求,也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。因此,無機新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學(xué)中的主要課題。 化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術(shù)?;瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)天機薄膜材料。
三、原理簡介
首先是氣體進入反應(yīng)器(①) 然后是氣體被吸附到材料表面(②) 然后氣體在材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),分解,成核,等等(③) 然后隨著反應(yīng)的進行,沉積下來的材料會越來越多,并且按特定方向排列,我們稱之為生長(④) 最后是反應(yīng)生成的副產(chǎn)物,廢氣等排出反應(yīng)器(⑤) 用來進行沉積的反應(yīng)可以很多,主要有四大類: 熱分解反應(yīng) SiH4(g) →Si(s)+2H2(g) 氧化還原反應(yīng) SiH4(g) +O2(g)→SiO2(s)+2H2(g) 化學(xué)合成反應(yīng) TiCl4 (g) +CH4 (g) →TiC (s) +4HCl (g) 歧化反應(yīng) 2GeI2(g) →Ge(s) + GeI4(g)
CVD根據(jù)原理,
條件的不同,可以分為以下幾種: 低壓CVD(LPCVD) 常壓CVD(APCVD) 亞常壓CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等離子體增強CVD(PECVD) 高密度等離子體CVD(HDPCVD) 快熱CVD(RTCVD) 金屬有機物CVD(MOCVD)
鄭州科佳生產(chǎn)爐子十年有余,cvd系統(tǒng)和pecvd設(shè)備是我們主要生產(chǎn)和研究的實驗設(shè)備,設(shè)備元宵國外三十多個國家,受到一致的好評。

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